发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

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半导体发光二极管、半导体激光二极管等的电学特性与普通二极管相同，具有正反向特性。此类发光二极管的电学符号可表示为：

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

当发光二极管的正反电极施加不同方向的电压时，其表现出来的电流—电压特性不同，即图中I-U特性或称为I-V特性（Current—Voltage）。

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

（1）正向电压：当发光二极管的两端施加正向电压时，U＞0，即处于正向特性区域，此时，发光二极管处于发光状态，如图中右边的I-U特性。

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

正向特性的正向区又分为两段区域：

当0＜U＜Vth时，正向电流几乎为零，该区域称为死区电压或开启电压Vth，例如硅二极管的死区电压在0.5V左右，锗二极管的死区电压约为0.1V；

当U＞Vth时，正向电流I逐渐增大，并呈指数规律增长，此时二极管处于正向导通状态，例如硅二极管的正向导通电压在0.6～0.8V，锗二极管的正向导通电压在0.2～0.3V；

（2）反向电压：当发光二极管的两端施加反向电压时，U＜0，即处于反向特性区域，此时，发光二极管不发光，如图中左边的I-U特性。

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

反向特性的反向区又分为两段区域：

当UBR＜U＜0时，反向电流IBR很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS；

当U≥UBR时，反向电流IBR急剧增加，突然导通，UBR称为反向击穿电压。但不同二极管的反向击穿特性略有不同，例如，硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。硅二极管若UBR≥7V时，主要是雪崩击穿；若UBR≤4V则主要是齐纳击穿，当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。

发光二极管的正反I-U特性是表征二极管好坏的重要指标，对发光二极管进行正反向测试时需要不停切换电源的正负极，测试效率低，此时采用钮子开关可以很好的解决电极正负切换的问题。

钮子开关是一种手动控制开关，主要用于交直流电源电路的通断控制。具有体积小，操作方便等特点，是电子设备中常用的开关。钮子开关按照操作位置分为二位和三位开关。

其中ON—OFF、ON—ON、ON—OFF—ON为常用工作模式。

ON表示开

OFF表示关

其他参数包括电流值、端子种类、操作形式（自锁式——按下接通，再次按下断开/复位式——按下接通，松开断开）

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

ON—OFF 2端子钮子开关

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

ON—OFF 4端子钮子开关

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

ON—ON 3端子钮子开关

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

ON—ON 6端子钮子开关

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

ON—OFF—ON 3端子钮子开关

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

ON—OFF—ON 6端子钮子开关

以6端子ON—OFF—ON妞子开关为例，发光二极管的正反向I-U特性测试可以通过改变妞子开关的位置来实现正向、关、反向测试。

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

接线简图如下图所示，通过最左边和最右边两组引线端子的交差连接

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

这样采用图示仪只需要波动钮子开关的方位就可以很好的测试发光二极管的正反向I-U特性了。

发光二极管符号正负极判断（发光二极管的符号）

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